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Samsung开始生产30毫微米动态随机存储器芯片

三星电子第一次开始了与30毫微米技术的大量生产的动态随机存储器芯片在世界上,它说星期三。 公司说它导致与30nm类技术的2 Gb DDR3微量。

一毫微米是一十亿分之一一米,并且用30nm类技术做的微量提到一根导线的宽度在电路的。 使用技术增加生产能力60%与当前统治40nm技术比较,仅少数公司现在使用。 

DDR3动态随机存储器芯片处理数据1.6比那些用40nm类技术做了,并且消耗较少比一半力量快速地计时。

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